規(guī)格型號(hào)：10632158
頻率：10~52MHZ
尺寸：2.0*1.6mm
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產(chǎn)品描述：Bliley晶振,BTCSG晶振,BTCSG-16.000MDF-CBBT晶振,2016mm體積的溫補(bǔ)晶振(TCXO),是目前有源晶振中體積最小的一款,產(chǎn)品本身帶溫度補(bǔ)償作用的晶體振蕩器,該體積產(chǎn)品最適合于GPS,以及衛(wèi)星通訊系統(tǒng),智能電話等多用途的高穩(wěn)定...

Bliley晶振,BTCSG晶振,BTCSG-16.000MDF-CBBT晶振,2016mm體積的溫補(bǔ)晶振(TCXO),是目前有源晶振中體積最小的一款,產(chǎn)品本身帶溫度補(bǔ)償作用的晶體振蕩器,該體積產(chǎn)品最適合于GPS,以及衛(wèi)星通訊系統(tǒng),智能電話等多用途的高穩(wěn)定的頻率溫度特性晶振.為對(duì)應(yīng)低電源電壓的產(chǎn)品.(DC+1.8V±0.1Vto+2.9V±0.1V對(duì)應(yīng)IC可能)高度:最高0.8mm,體積:0.0022cm3,重量:0.008g,超小型,輕型,低消耗電流,表面貼片型產(chǎn)品.(可對(duì)應(yīng)回流焊)無鉛產(chǎn)品.滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,帶有AFC(頻率控制)功能,Enable/Disable功能,產(chǎn)品本身可根據(jù)使用需要進(jìn)行選擇.
Bliley Technologies Inc. 最初于 1930 年作為 Bliley Piezo-Electric Company 成立。最初，我們?yōu)闃I(yè)余無線電市場(chǎng)制造石英晶體。在 1930 年代中期，我們的客戶和產(chǎn)品很快擴(kuò)大到與新興的軍事和商業(yè)通信領(lǐng)域的利益相匹配，我們的名稱更名為 Bliley Electric Company。1939 年，我們是最大的水晶公司，擁有 11 名員工。
第二次世界大戰(zhàn),我們產(chǎn)品的政府合同使我們的銷售額猛增。就業(yè)人數(shù)急劇上升，到 1942 年，Bliley 雇傭了大約 1500 名員工。建造了第二個(gè)制造工廠以滿足需求。兩家工廠都夜以繼日地生產(chǎn)水晶來支持我們的部隊(duì)。
二戰(zhàn)后,隨著戰(zhàn)爭(zhēng)的結(jié)束，軍售幾乎完全停止。我們?yōu)槲覀兊氖⒕w尋找新市場(chǎng)和新應(yīng)用。通信和技術(shù)行業(yè)開始快速增長。我們的產(chǎn)量再次上升，以滿足軍隊(duì)對(duì)水晶的需求。我們將資源轉(zhuǎn)向?qū)Ｗ⒂谏虡I(yè)和軍事產(chǎn)品。
1950 年代和 1960 年代:在這幾十年中，我們進(jìn)入了許多其他市場(chǎng)，包括晶體振蕩器、溫度補(bǔ)償晶體振蕩器 (TCXO)、空間晶體和晶體爐。我們發(fā)現(xiàn)我們的產(chǎn)品現(xiàn)在被用于所有電子領(lǐng)域。1960 年，JHU/APL 使用的 BG73A @ 3MHz 被放置在 TRANSIT 2A 海軍導(dǎo)航衛(wèi)星的軌道上。
2010 年代及以后:今天，我們?cè)谥圃斓驮肼曨l率控制產(chǎn)品方面處于世界領(lǐng)先地位。我們不斷發(fā)現(xiàn)自己正在努力實(shí)現(xiàn)重大改進(jìn)，以滿足客戶不斷變化的需求。更嚴(yán)格的穩(wěn)定性、更低的相位噪聲和加速度靈敏度以及封裝尺寸的減小推動(dòng)了我們開發(fā)各種新技術(shù)。我們相信，我們已做好充分準(zhǔn)備迎接挑戰(zhàn)，并像我們 80 多年來所做的那樣取得卓越成就。
Bliley晶振在美國的總部占地面積約64000平方英尺,其中包括了百利晶振公司的辦公室,研發(fā)部,測(cè)試部,生產(chǎn)部和車間等重要部門,所有Bliley Crystal產(chǎn)品的工作都在這里進(jìn)行,包括研發(fā)生產(chǎn)TCXO晶振,有源晶振,石英晶體諧振器等產(chǎn)品.Bliley晶振,BTCSG晶振,BTCSG-16.000MDF-CBBT晶振.

Parameter	Conditions	Values			Unit
		MIN	TYP	MAX
Frequency Range		10		52	KHz
Initial Frequency Tolerance	Tested at +25ºC			±2	ppm
Frequency Stability
vs. Temperature	See Options (Max) Referenced to +25?C	±0.5, ±1, ±2, ±3			ppm
vs. Load	10% Change			±0.3	ppm
vs. Supply Voltage	5% Change			±0.3	ppm
Aging
1st Year				±1.0	ppm
Supply Voltage (Vdd)	Option B	1.71	1.8	1.89	Vdc
	Option D	3.13	3.3	3.47	Vdc
	Option H	2.37	2.5	2.63	Vdc
Current Consumption	(Clipped Sine) 10MHz to 26MHz 26MHz to 52MHz			2.0 2.5	µA
	(CMOS/TTL)			10	mA
Start-up Time			5		mSec
Electronic Frequency Control
Voltage Range		0		Vdd	Vdc
Center Voltage			Vdd/2		Vdc
Frequency Range	See options (min)		±2, ±5		ppm
Slope			positive
Input Impedance			500		kΩ
Linearity			10		%
High Output Level	Logic “1”	90% Vdd			Vdc
Low Output Level	Logic “0”			10% Vdd	Vdc
Rise/Fall Time			10		nSec
Duty Cycle		40	50	55	%
Load Impedance			15		PF

耐焊性:

將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會(huì)破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品.如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品.在下列回流條件下,對(duì)石英晶振產(chǎn)品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會(huì)破壞晶振特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些貼片晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間.同時(shí),在安裝條件更改的情況下,請(qǐng)?jiān)俅芜M(jìn)行檢查.如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請(qǐng)聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息.

粘合劑

請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.）

機(jī)械振動(dòng)的影響

當(dāng)晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動(dòng)時(shí),比如：壓電揚(yáng)聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會(huì)受到影響.這種現(xiàn)象對(duì)通信器材通信質(zhì)量有影響.盡管晶振產(chǎn)品設(shè)計(jì)可最小化這種機(jī)械振動(dòng)的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作.

熱影響

重復(fù)的溫度巨大變化可能會(huì)降低受損害的石英晶振產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線路擊穿.必須避免這種情況.

安裝方向

振蕩器的不正確安裝會(huì)導(dǎo)致故障以及崩潰,因此安裝時(shí),請(qǐng)檢查安裝方向是否正確.

通電

不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會(huì)導(dǎo)致無法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作.

負(fù)載電容

有源晶振振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過強(qiáng)力調(diào)整,可能只會(huì)導(dǎo)致不正常的振蕩.在使用之前,請(qǐng)指明該振動(dòng)電路的負(fù)載電容（請(qǐng)參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容）.Bliley晶振,BTCSG晶振,BTCSG-16.000MDF-CBBT晶振.

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