規格型號：66494253
頻率：1.2~75MHZ
尺寸：2.0x1.6x0.7
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產品描述：有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅動CMOS集成電路,產品本身已實現與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15μA以下,編帶包裝方式可對應自動搭載及IR回流焊接(無鉛對...

日本精工愛普生接受了中國蘇州政府2007 年的招商引資,命名為【愛普生拓優科夢水晶元器件(蘇州)有限公司】愛普生拓優科夢(Epson Toyocom)是精工愛普生株式會社與愛普生(中國)有限公司共同投資成立的有限責任公司(外商合資).愛普生已經建立了一個原始的垂直整合制造模型的最佳手段持續為客戶創造新的價值,并決定使用這個模型來驅動前面提到的四個關鍵領域的創新.這意味著從頭開始創建產品:創建我們自己的獨特的核心技術和設備,使用這些作為基地的規劃和設計提供獨特價值的產品,生產或制造的藝術和科學,我們積累了多年的專業知識,然后生產晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器, 32.768K鐘表晶振,溫補晶振等出售給我們的客戶.
智能手機晶振,產品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體器,最適用于移動通信終端的基準時鐘等移動通信領域.比如智能手機,無線通信,衛星導航,平臺基站等較高端的數碼產品,晶振本身小型,薄型具備各類移動通信的基準時鐘源用頻率,貼片晶振具有優良的電氣特性,耐環境性能適用于移動通信領域,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
石英晶振的切割設計:用不同角度對晶振的石英晶棒進行切割,可獲得不同特性的石英晶片,通常我們把SMD晶振的石英晶片對晶棒坐標軸某種方位(角度)的切割稱為石英晶片的切型.不同切型的石英晶片,因其彈性性質,壓電性質,溫度性質不同,其電特性也各異,石英晶振目前主要使用的有AT切、BT切.其它切型還有CT、DT、GT、NT等.

晶振參數	符號	SG2016CAN
標準頻率	fo	1.2~75MHZ
電源電壓	Vcc	+1.6V~+3.63V
存儲溫度	T_stg	-55℃~+125℃
工作溫度	T_use	-20℃~+70℃ -40℃~+85℃ -40℃~+105℃
頻率初期公差	F_tol	±20,±50,±100×10^-6 Max
待機電流	I_std	2.7 uA MAX
輸出負載	L_CMOS	15pF Max
輸出電壓	VOH	Vcc-0.8V Min
輸出電壓	VOL	0.2V Max
上升/下降時間	tr/tf	8 ns Max
啟動時間	T_str	10 ms Max
頻率老化	F_aging	±1.0×10^-6 /years Max

電處理

將電源連接到晶振指定的終端,確定正確的極性這目錄所示.注意電源的正負電極逆轉或者連接到一個終端以,以為外的指定一個產品部分內的石英工業級晶振,假如損壞那將不會工作.此外如果外接電源電壓高于耐高溫晶振的規定電壓值,就很可能會導致石英晶振產品損壞.所以外接電壓很重要,一定要確保使用正確的額定電壓的振蕩,但如果電壓低于額定的電壓值部分產品將會不起振,或者起不到最佳精度.

有源晶振的負載電容與阻抗

負載電容與阻抗有源低功耗晶振設置一個規定的負載阻抗值.當一個值除了規定的一個設置為負載阻抗輸出頻率和輸出電平不會滿足時,指定的值這可能會導致問題例如：失真的輸出波形.特別是設置電抗,根據規范的負載阻抗.輸出頻率和輸出電平,當測量輸出頻率或輸出水平,晶體振蕩器調整的輸入阻抗,測量儀器的負載阻抗晶體振蕩器.當輸入阻抗的測量儀器,不同的負載阻抗的晶體振蕩器,測量輸出頻率或輸出水平高,阻抗阻抗測量可以忽略.

機械處理

當耐高溫晶振發生外置撞擊時,任何石英晶體振蕩器在遭到外部撞擊時,或者產品不小心跌落時,強烈的外置撞擊都將會導致溫補晶振損壞,或者頻率不穩定現象.不執行任何強烈的沖擊石英晶體振蕩器.

負載電容

有源高頻晶振振蕩電路中負載電容的不同,可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差.試圖通過強力調整,可能只會導致不正常的振蕩.在使用之前,請指明該振動電路的負載電容（請參閱“負載電容”章節內容）

電源線路

電源的線路阻抗應盡可能低.

輸出負載

建議將石英環保晶振輸出負載安裝在盡可能靠近音叉振蕩子的地方（在20 mm范圍之間）.

未用輸入終端的處理

未用針腳可能會引起噪聲響應,從而導致非正常工作.同時,當P通道和N通道都處于打開時,電源功率消耗也會增加；因此,請將未用輸入終端連接到VCC 或GND.

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