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- 規(guī)格型號(hào)：56686798
- 頻率：1M-125M
- 尺寸：20*12mm 12*12mm
- 產(chǎn)品描述：石英晶體振蕩器,低電壓?jiǎn)?dòng)功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合...
富士通晶振,溫補(bǔ)晶振,FCO-100/FCO-200晶振,壓電石英晶體振蕩器
富士通晶振,溫補(bǔ)晶振,FCO-100/FCO-200晶振,壓電石英晶體振蕩器，有源石英晶振是指在普通無(wú)源晶體上增加了電壓，內(nèi)部集成了相應(yīng)IC與電容電阻，需要在凈化萬(wàn)級(jí)車(chē)間生產(chǎn)，并且在密封機(jī)器設(shè)備中焊接加蓋，內(nèi)部封裝模式是指在真空封裝區(qū)域內(nèi)進(jìn)行封裝。1.防止外界氣體進(jìn)入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生；2.使組件在真空下電阻減小；3.氣密性高。此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶體元器必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一
有源晶振高頻振蕩器使用IC與晶片設(shè)計(jì)匹配技術(shù)：有源晶振是高頻振蕩器研發(fā)及生產(chǎn)過(guò)程必須要解決的技術(shù)難題。在設(shè)計(jì)過(guò)程中除了要考慮石英晶體諧振器具有的電性外，還有石英晶體振蕩器的電極設(shè)計(jì)等其它的特殊性，必須考慮石英晶體振蕩器的供應(yīng)電壓、起動(dòng)電壓和產(chǎn)品上升時(shí)間、下降時(shí)間等相關(guān)參數(shù)。
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有源晶振高頻振蕩器使用IC與晶片設(shè)計(jì)匹配技術(shù)：有源晶振是高頻振蕩器研發(fā)及生產(chǎn)過(guò)程必須要解決的技術(shù)難題。在設(shè)計(jì)過(guò)程中除了要考慮石英晶體諧振器具有的電性外，還有石英晶體振蕩器的電極設(shè)計(jì)等其它的特殊性，必須考慮石英晶體振蕩器的供應(yīng)電壓、起動(dòng)電壓和產(chǎn)品上升時(shí)間、下降時(shí)間等相關(guān)參數(shù)。
富士通晶振公司股份有限公司
位于日本山梨縣南都留郡富士河口湖町勝山1430-1
富士通晶振公司主要以石英晶振，電子元件，三端穩(wěn)壓管，LED照明，高壓電容器，薄膜電容器等產(chǎn)品的生產(chǎn)與開(kāi)發(fā)，在于2013年開(kāi)始處理,軟件的開(kāi)發(fā),今后在有線、無(wú)線通信設(shè)備的本公司商品化目標(biāo)。今后更能迅速滿足市場(chǎng)的需求。目前針對(duì)中國(guó)市場(chǎng)主要以石英晶振，石英晶體諧振器，石英晶體振蕩器，有源晶振系列產(chǎn)品作為主打。
公司主要一些大事記：
1994年1月
500萬(wàn)日元的資本金為富士公司成立。
原工作中水晶設(shè)備企業(yè)的營(yíng)業(yè)將移交到富士com。
開(kāi)始銷(xiāo)售水晶設(shè)備。富士通晶振,溫補(bǔ)晶振,FCO-100/FCO-200晶振,壓電石英晶體振蕩器
位于日本山梨縣南都留郡富士河口湖町勝山1430-1
富士通晶振公司主要以石英晶振，電子元件，三端穩(wěn)壓管，LED照明，高壓電容器，薄膜電容器等產(chǎn)品的生產(chǎn)與開(kāi)發(fā)，在于2013年開(kāi)始處理,軟件的開(kāi)發(fā),今后在有線、無(wú)線通信設(shè)備的本公司商品化目標(biāo)。今后更能迅速滿足市場(chǎng)的需求。目前針對(duì)中國(guó)市場(chǎng)主要以石英晶振，石英晶體諧振器，石英晶體振蕩器，有源晶振系列產(chǎn)品作為主打。
公司主要一些大事記：
1994年1月
500萬(wàn)日元的資本金為富士公司成立。
原工作中水晶設(shè)備企業(yè)的營(yíng)業(yè)將移交到富士com。
開(kāi)始銷(xiāo)售水晶設(shè)備。富士通晶振,溫補(bǔ)晶振,FCO-100/FCO-200晶振,壓電石英晶體振蕩器
| 石英晶振規(guī)格 | 單位 | FCO-100/FCO-200 20*12mm 12*12mm 晶振說(shuō)明 | 進(jìn)口振蕩器基本條件 |
| 額定頻率范圍 | f_nom | 1M-125MHZ | 晶振標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
| 儲(chǔ)存溫度 | T_stg | -40°C ～ +85°C | 裸存 |
| 工作溫度 | T_use | -10°C ～ +70°C | 標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
| 電源電壓 | SV | 2.5V 1.8V 3.3V 5V | |
| 頻率公差 | f_— l |
±50 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)), (±15 × 10-6 ～ ±100 × 10-6 可用) |
+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明, 請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息. |
| 頻率溫度特征 | f_tem | ±30 × 10-6/-20°C ～ +70°C | 超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們. |
| 負(fù)載電容 | CL | 15pF | 超出標(biāo)準(zhǔn)說(shuō)明,請(qǐng)聯(lián)系我們. |
| 串聯(lián)電阻（ESR） | R1 | 如下表所示 | -40°C — +85°C, DL = 100μW |
| 頻率老化 | f_age | ±5 × 10-6 / year Max. | +25°C,第一年 |
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抗沖擊
石英晶體產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過(guò)程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過(guò)沖擊請(qǐng)勿使用。
輻射
暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害，因此應(yīng)避免照射富士通晶振,溫補(bǔ)晶振,FCO-100/FCO-200晶振,壓電石英晶體振蕩器。
化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解產(chǎn)品或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些有源晶振產(chǎn)品。
石英晶體產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過(guò)程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過(guò)沖擊請(qǐng)勿使用。
輻射
暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害，因此應(yīng)避免照射富士通晶振,溫補(bǔ)晶振,FCO-100/FCO-200晶振,壓電石英晶體振蕩器。
化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解產(chǎn)品或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些有源晶振產(chǎn)品。
進(jìn)口大體積有源晶振在選用晶片時(shí)應(yīng)注意溫度范圍、晶振溫度范圍內(nèi)的頻差要求，貼片晶振溫度范圍寬時(shí)(-40℃-85℃)晶振切割角度比窄溫(-10℃-70℃)切割角度應(yīng)略高。對(duì)于晶振的條片，長(zhǎng)邊為 X 軸，短邊為 Z 軸，面為 Y 軸。富士通晶振,溫補(bǔ)晶振,FCO-100/FCO-200晶振,壓電石英晶體振蕩器
對(duì)于圓片晶振，X、Z 軸較難區(qū)分，所以石英晶振對(duì)精度要求高的產(chǎn)品（如部分定單的 UM-1），會(huì)在 X 軸方向進(jìn)行拉弦（切掉一小部分），以利于晶振的晶片有方向的裝架點(diǎn)膠，點(diǎn)膠點(diǎn)點(diǎn)在 Z 軸上。保證時(shí)鐘晶體振蕩器產(chǎn)品的溫度特性。石英晶振產(chǎn)品電極的設(shè)計(jì)：石英晶振產(chǎn)品的電極對(duì)于石英晶體元器件來(lái)講作用是1.改變頻率；2.往外界引出電極；3.改變電阻；4.抑制雜波。第1、2、3項(xiàng)相對(duì)簡(jiǎn)單，第4項(xiàng)的設(shè)計(jì)很關(guān)鍵，電極的形狀、尺寸、厚度以及電極的種類(lèi)(如金、銀等)都會(huì)導(dǎo)致第4項(xiàng)的變化。特別是歐美進(jìn)口石英晶振隨著晶振的晶片尺寸的縮小對(duì)于晶片電極設(shè)計(jì)的形狀及尺寸和精度上都有更高的要求---公差大小、位置的一致性等對(duì)晶振產(chǎn)品的影響的程度增大，故對(duì)電極的設(shè)計(jì)提出了更精準(zhǔn)的要求。
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