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- 規(guī)格型號(hào)：60437038
- 頻率：12~54MHZ
- 尺寸：3.2*2.5mm
- 產(chǎn)品描述：MtronPTI晶振,M1253晶振,M12532EDS12.000MHz晶振,小型貼片石英晶振,外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體振蕩器,特別適用于有小型化要求的市場(chǎng)領(lǐng)域,比如智能手機(jī),無(wú)線藍(lán)牙,平板電腦等電子數(shù)碼產(chǎn)品.晶振本身超小型,薄型...
MtronPTI晶振,M1253晶振,M12532EDS12.000MHz晶振
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MtronPTI晶振,M1253晶振,M12532EDS12.000MHz晶振,小型貼片石英晶振,外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體振蕩器,特別適用于有小型化要求的市場(chǎng)領(lǐng)域,比如智能手機(jī),無(wú)線藍(lán)牙,平板電腦等電子數(shù)碼產(chǎn)品.晶振本身超小型,薄型,重量輕,晶體具有優(yōu)良的耐環(huán)境特性,如耐熱性,耐沖擊性,在辦公自動(dòng)化,家電相關(guān)電器領(lǐng)域及Bluetooth,WirelessLAN等短距離無(wú)線通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無(wú)鉛焊接的回流溫度曲線要求.MtronPTI于1965年成立于雷達(dá)，為高可靠性/高性能應(yīng)用設(shè)計(jì)和制造定制RF和微波解決方案。2004年成立，由M-tron Industries，Inc.收購(gòu)Piezo Technology，Inc. MtronPTI是LGL Group，Inc.的全資子公司。
更寬的頻率范圍，更低的漂移，更低的g靈敏度以及添加兩條新產(chǎn)品線：固態(tài)功率放大器至20 GHz以及毫米波濾波器至90 GHz
2013 - M618x 3.2 x 5.0mm Stratum 3 TCXO
2012 - AS9100 Rev C認(rèn)證
2012年 - 100MHz低噪聲OCXO
適用于儀器儀表，點(diǎn)對(duì)點(diǎn)或點(diǎn)對(duì)多點(diǎn)微波以及雷達(dá)應(yīng)用的XO5085系列100MHz低相位噪聲OCXO。
2012年 - 數(shù)字RF線 - 數(shù)字調(diào)諧濾波器
用于數(shù)字無(wú)線電，軟件無(wú)線電，認(rèn)知無(wú)線電的數(shù)字調(diào)諧濾波器...具有更高的可靠性，更大的覆蓋范圍和更高的數(shù)據(jù)容量。
2010年 - 上海銷售和服務(wù)辦公室
本地市場(chǎng)和全球制造基地的銷售客戶服務(wù)中心。
2009年 - GPS紀(jì)律振蕩器
M9107是一款非常小巧的設(shè)備，專為滿足軍事環(huán)境要求，定時(shí)系統(tǒng)需求（包括保持時(shí)間）而設(shè)計(jì)，非常適合手提包，車載和機(jī)載應(yīng)用。
MtronPTI晶振是美國(guó)領(lǐng)先的頻率元件制造商,1965年成立于雷達(dá),專業(yè)提供廣泛的MtronPTI石英晶體,有源晶振,陶瓷諧振器等解決方案.MtronPTI晶振,M1253晶振,M12532EDS12.000MHz晶振.
| Parameter | Symbol | Min. | Typ. | Max. | Units | Conditions |
| Frequency Range | F | 12 | 54 | MHz | ||
| Frequency Tolerance | F/F | See Ordering Information | ppm | @ +25 °C | ||
| Frequency Stability | F/F | See Ordering Information | ppm | Over Operating Temperature | ||
| Operating Temperature | T opr | See Ordering Information | °C | |||
| Storage Temperature | T stg | -55 | 125 | °C | ||
| Aging | F a | ±5 | ppm/year | @ +25 °C | ||
| Load Capacitance | C L | See Ordering Information | ||||
| Shunt Capacitance | C 0 | 3 | pF | |||
| ESR | ||||||
|
Fundamental AT-Cut Frequencies 13.000000 to 19.999999 MHz 20.000000 to 29.999999 MHz 30.000000 to 54.000000 MHz |
80 70 50 |
Ohms Ohms Ohms |
All All All |
|||
| Drive Level | D L | 10 | 100 | 300 | µW | |
| Insulation Resistance | I R | 500 | Megohm | 100 VDC | ||
| Aging | Internal Specification | 168 hrs. at +55°C | ||||
| Physical Dimensions | MIL-STD-883, Method 2016 | |||||
| Shock | MIL-STD-202, Method 213 Condition C | 100 g | ||||
| Vibration | MIL-STD-202, Methods 201 & 204 | 10 g from 10-2000 Hz | ||||
| Thermal Cycle | MIL-STD-883, Method 1010, Condition B | -55°C to +125°C | ||||
| Gross Leak | MIL-STD-202, Method 112 | 30 sec. Immersion | ||||
| Fine Leak | MIL-STD-202, Method 112 | 1 x 10 -8 atmcc/sec. min. | ||||
| Resistance to Solvents | MIL-STD-883, Method 2015 | Three 1 minute soaks | ||||
| Max Soldering Conditions | See solder profile, Figure 1 | |||||
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耐焊性:
將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會(huì)破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品.如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品.在下列回流條件下,對(duì)石英晶振產(chǎn)品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會(huì)破壞晶振特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些貼片晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間.同時(shí),在安裝條件更改的情況下,請(qǐng)?jiān)俅芜M(jìn)行檢查.如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請(qǐng)聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息.
粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.）
機(jī)械振動(dòng)的影響
當(dāng)晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動(dòng)時(shí),比如：壓電揚(yáng)聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會(huì)受到影響.這種現(xiàn)象對(duì)通信器材通信質(zhì)量有影響.盡管晶振產(chǎn)品設(shè)計(jì)可最小化這種機(jī)械振動(dòng)的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作.
熱影響
重復(fù)的溫度巨大變化可能會(huì)降低受損害的石英晶振產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線路擊穿.必須避免這種情況.
安裝方向
振蕩器的不正確安裝會(huì)導(dǎo)致故障以及崩潰,因此安裝時(shí),請(qǐng)檢查安裝方向是否正確.
通電
不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會(huì)導(dǎo)致無(wú)法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作.
負(fù)載電容
有源晶振振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過強(qiáng)力調(diào)整,可能只會(huì)導(dǎo)致不正常的振蕩.在使用之前,請(qǐng)指明該振動(dòng)電路的負(fù)載電容（請(qǐng)參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容）.MtronPTI晶振,M1253晶振,M12532EDS12.000MHz晶振.
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