規(guī)格型號(hào)：93466512
頻率：10~40MHZ
尺寸：5.0*3.2mm
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產(chǎn)品描述：FMI晶振,FMTC3S3晶振,FMTC33S3025S-24.000M-TR晶振,5032mm體積的石英晶體振蕩器,有源晶振,該產(chǎn)品可驅(qū)動(dòng)2.5V的溫補(bǔ)晶振,壓控晶振,VC-TCXO晶體振蕩器產(chǎn)品,電源電壓的低電耗型,編帶包裝方式,可對(duì)應(yīng)自動(dòng)高速貼片機(jī)自動(dòng)焊接...

FMI晶振,FMTC3S3晶振,FMTC33S3025S-24.000M-TR晶振,5032mm體積的石英晶體振蕩器,有源晶振,該產(chǎn)品可驅(qū)動(dòng)2.5V的溫補(bǔ)晶振,壓控晶振,VC-TCXO晶體振蕩器產(chǎn)品,電源電壓的低電耗型,編帶包裝方式,可對(duì)應(yīng)自動(dòng)高速貼片機(jī)自動(dòng)焊接,及IR回流焊接(無(wú)鉛對(duì)應(yīng)),為無(wú)鉛產(chǎn)品,超小型,質(zhì)地輕.產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用到集成電路,程控交換系統(tǒng),無(wú)線發(fā)射基站.
FMI晶振作為標(biāo)準(zhǔn)通信公司的專屬供應(yīng)商,我們成立于1971年,30多年來(lái),我們一直為通信市場(chǎng)提供快速交付和嚴(yán)格公差,石英晶體和晶體振蕩器.1992年,頻率管理已擴(kuò)展到OEM市場(chǎng). FMI,頻率管理國(guó)際,成立的目的是為各種行業(yè)的各種電子系統(tǒng)應(yīng)用提供頻率和時(shí)序控制的工程解決方案.FMI是一家真正以解決方案為導(dǎo)向的美國(guó)制造商.我們目前為各種細(xì)分市場(chǎng)提供產(chǎn)品,包括:極端環(huán)境,能源勘探,石油和天然氣勘探(各種定向鉆井工具),石油和天然氣生產(chǎn)工具,地?zé)?,熱監(jiān)測(cè)工具,空間,科學(xué)(低地球軌道),科學(xué)(深空),廣告,軍事和航空航天,航空電子學(xué),導(dǎo)航,控制系統(tǒng),商業(yè)和工業(yè),電信(有線或無(wú)線),無(wú)線(包括實(shí)用計(jì)量和大容量微型調(diào)制解調(diào)器,如XBee),工業(yè)控制(包括計(jì)量),汽車(發(fā)動(dòng)機(jī)傳感器等),電腦周邊設(shè)備,LAN/WAN,光網(wǎng)絡(luò).

作為美國(guó)國(guó)內(nèi)制造商,我們擁有必要的生產(chǎn),工程和物流資源,以支持您對(duì)石英晶體和晶體振蕩器的設(shè)計(jì),原型和制造需求.我們的工業(yè)和高可靠性應(yīng)用產(chǎn)品范圍從高可靠性石英晶體和時(shí)鐘振蕩器到VCTCXO和鎖相源.我們的產(chǎn)品提供傳統(tǒng)的通孔封裝和表面貼裝(SMD)封裝,包括最小的封裝.設(shè)計(jì),生產(chǎn)和質(zhì)量流程是我們所有工業(yè)和高可靠性產(chǎn)品系列中固有的,包括用于井下應(yīng)用,工業(yè)應(yīng)用以及太空應(yīng)用的產(chǎn)品.
FMI Crystal成立于1971年,主要研發(fā)生產(chǎn)FMI晶振,TCXO振蕩器,有源晶振等產(chǎn)品,同時(shí)專注于為各行業(yè)的各種電子系統(tǒng)提供頻率和時(shí)序控制的工程解決方案.FMI晶振,FMTC3S3晶振,FMTC33S3025S-24.000M-TR晶振.

Parameter		Clipped Sinewave Specification
Frequency Range		10 MHz - 40 MHz
Frequency Stability vs. Temperature		±2.5 ppm; Standard, -30°C to +75°C
Frequency vs. Input Voltage Variation		±0.3ppm / +3.0V ±0.3V
Aging @ 25°C		±1 ppm max first year
Storage Temperature		-55°C to +125°C
Supply Voltage		+3.3 Vdc standard; also: +2.5V, +2.8V, +3.0V ±5%
Supply Current		2 mA max.
Symmetry (Duty Cycle)		40/60% at 1/2 Vdd Std.
Output Level		0.8Vp-p min, Clipped Sine Wave
Output Load		10KΩ//10pF
Phase Noise		-135 dBc typical at 1 kHz offset
All specifications subject to change without notice.

耐焊性:

將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會(huì)破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品.如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品.在下列回流條件下,對(duì)石英晶振產(chǎn)品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會(huì)破壞晶振特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些貼片晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間.同時(shí),在安裝條件更改的情況下,請(qǐng)?jiān)俅芜M(jìn)行檢查.如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請(qǐng)聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息.

粘合劑

請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.）

機(jī)械振動(dòng)的影響

當(dāng)晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動(dòng)時(shí),比如：壓電揚(yáng)聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會(huì)受到影響.這種現(xiàn)象對(duì)通信器材通信質(zhì)量有影響.盡管晶振產(chǎn)品設(shè)計(jì)可最小化這種機(jī)械振動(dòng)的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作.

熱影響

重復(fù)的溫度巨大變化可能會(huì)降低受損害的石英晶振產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線路擊穿.必須避免這種情況.

安裝方向

振蕩器的不正確安裝會(huì)導(dǎo)致故障以及崩潰,因此安裝時(shí),請(qǐng)檢查安裝方向是否正確.

通電

不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會(huì)導(dǎo)致無(wú)法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作.

負(fù)載電容

有源晶振振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過(guò)強(qiáng)力調(diào)整,可能只會(huì)導(dǎo)致不正常的振蕩.在使用之前,請(qǐng)指明該振動(dòng)電路的負(fù)載電容（請(qǐng)參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容）.FMI晶振,FMTC3S3晶振,FMTC33S3025S-24.000M-TR晶振.

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